氮化鎵的關鍵時刻：從領導者視角看見新加坡半導體的下一步

OIPT長期致力於化合物半導體領域，具備全球領先的研發與製造設備，其技術能突破傳統矽基半導體的限制，在能源效率、功率密度、熱性能，以及光電特性方面提供更卓越的表現。目前OIPT的技術已廣泛應用於電力電子、擴增實境(AR)、3D感測，以及用於超大規模資料中心的光電收發器。

OIPT執行董事Matt Kelly

此篇文章核心介紹A*STAR於新加坡國家半導體轉譯與創新中心(NSTIC)中開啟的GaN計畫。該計畫旨在將新加坡塑造成先進半導體技術的重要基地，並特別聚焦GaN與碳化矽(SiC)等寬能隙材料。這些材料具備高效率與高性能的特性，是未來半導體發展的關鍵。NSTIC的成立由OIPT所提供的先進化合物半導體設備作為基礎，支援GaN 與GaN-on-SiC的開發與生產，應用領域涵蓋5G、電動車、可再生能源等高成長產業，有助提升新加坡的先進製造實力。

OIPT在此項國家級計畫中扮演三大關鍵角色：

一、提供頂尖製程設備

OIPT提供的等離子蝕刻、薄膜沉積、原子層蝕刻(ALE)與原子層沉積(ALD)等設備，是高精度半導體製程不可或缺的工具。這些技術能精準控制材料界面並調整材料特性，協助提升GaN/SiC裝置的性能並完成可量產化的製造流程。

二、促進GaN與SiC元件創新

透過其設備與技術，OIPT協助研究人員與企業開發原型並優化元件效能，使GaN/SiC元件具備更高能源效率、更快速度與更高可靠度。這對5G基礎建設、電動車電力轉換器，以及再生能源系統等領域至關重要。

三、深化新加坡半導體生態系統

OIPT與A*STAR、研究機構、產業夥伴緊密合作，加速GaN/SiC技術的商業化。此合作強化了新加坡的半導體供應鏈能力，並提升本地對寬能隙技術的掌握，使新加坡得以進入全球高成長的寬能隙市場。目前NSTIC的GaN計畫也被視為吸引跨國企業與新創進駐的重要平台。

NSTIC (GaN)指導委員會主席Cheong Chee Hoo指出，該中心不只是設施，更是「全國性的創新平台與未來科技的催化者」。其戰略目標包括人才培育、吸引全球合作夥伴與強化本地研發能量。由於半導體已佔新加坡GDP約6%，並提供超過35,000個高技能工作，因此GaN計畫預期對國家經濟成長與產業升級具深遠影響。

此計畫的重要影響包括：

1.鞏固新加坡的全球半導體領導地位

GaN與GaN-on-SiC因具備高效率、高功率密度與小型化等優勢，被視為下一代半導體的關鍵材料，可大幅提升新加坡在全球市場的技術競爭力。

2.推動跨產業技術創新

GaN/SiC技術將推動電信、健康醫療、乾淨能源、自動車等領域的突破，並開創新的高值產業機會，帶動更廣泛的數位化與電氣化應用。

3.支援新加坡的永續與低碳轉型

由於GaN/SiC具高度能源效率，其在電動車、電力轉換與再生能源領域的應用，將有助於降低碳排放並推動綠色科技產業。

4.加強新加坡在全球供應鏈中的角色

強化GaN/SiC的研發與製造能力，將提升新加坡在全球半導體供應鏈中的重要性，並增加供應鏈的韌性與市場影響力。

5.創造就業與吸引投資

GaN中心將帶來工程、研發與先進製造等多類型高技能職缺；同時，完善的創新生態系統將吸引更多跨國企業與研究機構投資新加坡。

The post 氮化鎵的關鍵時刻：從領導者視角看見新加坡半導體的下一步 appeared first on 電子工程專輯.